[経世済民135] 世界EV市場で存在感高まる富士電機とは何者なのか？パワー半導体で世界をリード（Business Journal） 赤かぶ
18. 2022年1月03日 10:57:23 : PGJ4zmPcR1 : MDZoNE5ETFYyVVU=[1]

化合物半導体産業の現状と課題
非鉄金属課
https://www.meti.go.jp/policy/nonferrous_metal/strategy/semiconductor04.pdf

1．化合物半導体の概要・特性
・化合物半導体の種類
・主要化合物半導体の物理定数
・化合物半導体の主な用途
2．化合物半導体の市場
・世界市場−材質別、材料別
・国内市場−材質別、材料別
・製品価格
3．SiCの需要動向
・ＳｉＣ単結晶の特性
・ＳｉＣの需要、価格、ＳｉＣの事業化動向
4．ＧａＮの需要動向
・GaNエピ市場
・白色LEDの市場
5．貿易動向
6．企業構造
・国内化合物半導体材料メーカーの状況・出荷額
・世界の化合物半導体材料メーカーと会社規模
7．技術動向
・電子デバイス・パワーデバイスの最近の動向
・学会での化合物半導体に係わる技術課題
・特許動向−技術課題、各社件数
・政府支援プロジェクト−国内、国外
8．化合物半導体エピ装置メーカーの状況
・装置メーカーと販売額、動向
9．海外展開
10．原料調達の動向
･Ga、In、P、Asの需給、価格
11．化合物半導体のロードマップ
○まとめ
○国内半導体事業の強み弱み
12．技術流出防止指針
13．韓国における転職規制の概要

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例えば富士以外にもパテントの塊のため色々頑張っておられます。
それにしてもトヨタ　プリウスの累計製造販売台数は凄いですね。
デンソーさん富士とジョイントして更なる高見を目指すんでしょう。
ＦＵＪＩとは何者といっているようでは遅い。
ドイツの電動自動車やテスラの電動自動車の台数は思うほどでもないようで焦るのは当たり前。
メカトロ以外にも大きなマーケットが見えますね。

東芝がトリプルゲートIGBTを開発、3つのゲート電極でスイッチング損失を4割削減
2021年06月02日 08時00分 公開
https://monoist.itmedia.co.jp/mn/articles/2106/02/news048_2.html

ダブルゲートIGBTを経てトリプルゲートIGBTへ
　日本政府が2050年のカーボンニュートラルを目標に掲げるなど、脱炭素に向けた取り組みへの注目が急速に高まっている。この脱炭素を実現していく上で導入が進むであろう、太陽光発電システムのパワーコンディショナー、EV（電気自動車）やさまざまな産業機器のインバーター、サーバの電源などには、より効率の高い電力変換器が求められる。

この電力変換器の中でも、スイッチング周波数が数百〜10kHz、電力容量で数k〜数MWというボリュームゾーン向けに広く用いられているのがシリコンベースのIGBTである。シリコンパワー半導体よりも高効率な次世代パワー半導体であるSiC（炭化ケイ素）デバイスやGaN（窒化ガリウム）デバイスへの期待も高まっているが現時点では高価なため、今後もしばらくはIGBTの需要が継続的に伸長するとみられている。

シリコンIGBTで発生する電力損失は、大まかに分けてスイッチング損失と導通損失に分けられる。トリプルゲートIGBTは、スイッチング損失がキャリアである電子とホールの注入と消滅の速度に依存することに着目し、3つのゲート電極による制御でキャリアの高速での注入と消滅を実現しスイッチング損失の大幅な低減につなげた。また、トリプルゲートIGBTの開発の背景には、ゲート電極を2つ持ち、ターンオフ損失のみ低減可能なデュアルゲートIGBTへの取り組みもあった。「ダブルゲートIGBTを開発しなければトリプルゲートIGBTというコンセプトにたどり着けていなかった」（高尾氏）。

なお、トリプルゲートIGBTは、ゲート電極部を除きシリコンIGBTと構造はほぼ同じであり、ゲート電極部の配線パターンを形成するフォトマスクを変更するだけで製造できるため、ゲート電極を1つだけ持つ通常のシリコンIGBTに対して大幅なコストアップにはならない見通しだ。

http://www.asyura2.com/21/hasan135/msg/644.html#c18

[経世済民135] 世界EV市場で存在感高まる富士電機とは何者なのか？パワー半導体で世界をリード（Business Journal） 赤かぶ
19. 2022年1月03日 15:47:48 : PGJ4zmPcR1 : MDZoNE5ETFYyVVU=[2]
当たるも八卦当たらぬも八卦　ジャ　ジャ　ジャーン。
2022年の干支は「壬寅（みずのえとら）」
「壬」は「妊に通じ、陽気を下に姙（はら）む」、「寅」は「?（ミミズ）に通じ、春の草木が生ずる」という意味があります。そのため「壬寅」は厳しい冬を越えて、芽吹き始め、新しい成長の礎となるイメージです。
らしいです。

EVがSiCを奪い合い…なぜ？
2021年8月11日
https://www.avnet.com/wps/portal/japan/resources/article/electric-cars-are-all-vying-for-sic/

SiCを使用する理由は？
事実、電気自動車における電気駆動インバータのコストを考慮した場合、成熟したSiベースのIGBTの代わりにSiCパワーデバイスを使用すると1台の自動車のコストが200〜300米国ドル上昇します。
では、なぜ、多くの企業がより多くの資金を投入して、より「コスト高」の計画を進めているのでしょうか？ 答えは、第一に、SiCデバイス自体の特性にあります。

パワーエレクトロニクスの分野では、スイッチコントロールを担うパワーデバイスが性能の鍵を握っています。
Si材料は、長年に亘り、この分野で圧倒的な地位を保ってきましたが、電力密度の増加、スイッチング速度（周波数）の上昇、およびアプリケーションにおける所要電力の増大により、Siデバイスの性能は、理論的な限界近くまで「追い詰められて」います。
そこで、人々は、Siに置き換わる新しい半導体材料を探して材料に目を向け始めました。その結果、ワイドバンドギャップ（WBG）半導体（別名：第3世代半導体）で使用されている2つの材料、つまりSiCと GaNが徐々に人々の視野に入ってきました。
この2つの材料のうち、SiCは、650V〜3.3kVの半導体デバイスにおいて多くの圧倒的な利点を備えています。

SiCのワイドバンドギャップ（WBG）はSiの3倍、絶縁破壊電界強度（臨界電界強度）はSiの約10倍、熱伝導率はSiの3倍、そして飽和電子移動度はSiの約2倍です。
このような特性をパワーデバイスで利用することにより、下記の利点が得られます。

WBGの増大：WBGが大きいほど、臨界破壊電圧が高く、高電圧および高電力のアプリケーションにおける適性が増します。
飽和電子移動度の上昇：この値が高いほど、デバイスのスイッチング速度が上昇し、高電圧の高周波数動作に必要な駆動力が小さくなるため、エネルギー損失が減少します。また、より小型の周辺デバイスを高周波回路で使用できるようになり、システムの小型化に寄与します。
熱伝導率の向上：冷却システムの追加を回避できるため、コストおよびサイズの最適化に寄与します。
単位面積あたりのドレイン・ソース間オン抵抗の低下：損失を効果的に削減できます。

自動車アプリケーションに関しては、電気駆動インバータにおいてSiベースのデバイスをSiCデバイスで置き換えることによりデバイスレベルのドライバのエネルギー効率の損失を80％削減できることが、いくつかの分析で示されています。
Creeの推定によると電気自動車インバータにおいてSiCパワーデバイスを使用することにより、自動車の電力消費を5〜10％削減できます。
全体として考えると、インバータモジュールのコストは上昇しますが、バッテリーコスト、熱放散コスト、およびスペースの利用コストは大幅に削減されるため、車両全体のコストは、2,000米国ドル削減できます。
SiCパワーデバイスは、インバータに加え、電気自動車のオンボード充電器（OBC）や電力変換システム（DC／DC）など多くの用途でも使用できます。
誰もがSiCの採用に殺到しているのも納得できます。

テスラは、電気自動車におけるSiCパワーデバイスの使用において「冒険する」最初の自動車会社となりそうです。
2018年、テスラは、同社のModel 3のインバータにおいてSTMicroelectronicsの650V SiC MOSFETを採用しました。
これは、SiベースのIGBTを使用した初期のModel Xと比較して、インバータの効率を5〜8%向上させると言われており、車両の品揃えを増やすために不可欠です。
次に、テスラは、2020年に発売したModel Yにおいて、パワーモジュールの後輪駆動にSiC MOSFETを採用しました。
現在、テスラは、Model S Plaid に加え、SiC技術を使用した3つのモデルを擁しています。 3つのモデルのうち、電気駆動インバータにおけるSiC MOSFETの高電圧、高温、および高周波数の優れた性能により、Model S Plaidは、わずか2.1秒で100 kphまで加速することができ、世界最速の加速度を持つ量産車として評価されています。
このような「異名」は、間違いなくSiCの最大の後押しとなるでしょう。

SiC製品と技術の成熟により、電気自動車における用途拡大は、採用の範囲だけでなく、奥深さにも反映されています。
新エネルギー車の初期の電気駆動インバータでは一般的にSiベースのIGBTとSiC-SBDの混合アーキテクチャが使用されていましたが、このアーキテクチャは、現在、純粋なSiCインバータの使用へと進化しつつあります。
2017年、VENTURIチームは、ロームの純粋なSiCパワーモジュールにより、新しいインバータを開発することができ、そのサイズは43%、重量は6kg削減されています。
このような成功例は、純粋なSiCインバータの将来を非常に期待させます。

新たな流れに欠ける？
HIS Markitの予測によると、SiCパワーデバイスの市場規模は、2027年までに100億米国ドルを超え、2018〜2027年の年複利成長率は、約40％に達する見込みです！そして、新エネルギー車は、最も重要な原動力です。

しかし、需要増大は、「需要爆発が供給不足につながるのではないか」という一定の懸念をもたらすでしょう。
特に、ここ数年、自動車エレクトロニクス分野で「半導体不足」が起きていることを考えると、心理的な不安が残っています。
懸念が高まってきたことも納得できます。
現在の視点から見て、SiCデバイスの生産能力の急拡大を阻む主な要因を下記に示します。

今でも、SiCは、基板ウェハーやエピタキシャル・ウェハーなどの基本的な材料の準備においてSiとの競争に苦しんでいます。
たとえば、基板ウェハーは、ほとんどが4インチと6インチです（Siデバイスの主流は、8インチと12インチです）。
気相のエピタキシーレートは低く、液相のエピタキシー生産は低いです。
このような技術的な問題に画期的な解決法が見つかるまで、生産能力は確実に制限されるでしょう。
SiCデバイスの製造プロセスから見ると、電極の製造における良好な抵抗接点の形成は、今でも問題点の1つです。
SiCの産業チェーンにおいて、過去の主要なプロセス技術は、数社が握っています。
市場全体は、小規模であり、Siベースのプロセスのように標準化された大規模な分業体制とは、ほど遠い状態です。
このような問題点により生産能力の急拡大とコスト削減は、抑制されるでしょう。
たとえば、SiCの基板ウェハーを見ると、SiCの現在のコストは、Siの4〜5倍であることが分かります。
また、価格は、今後3〜5年間で、Siの約2倍まで低下すると期待されています。
このプロセスにおいて、短期的な生産能力および供給不足は、避けられないかもしれません。

幸運にも、市場の発展に対する大きい期待により信頼が高まっています。
生産能力の拡大に向けた業過の投資が増加していることも見て取れます。
たとえば、STMicroelectronicsによるNorstelの買収、InfineonによるSiltectraの買収、SiCウェハーダイシング分野における新興企業などです。

http://www.asyura2.com/21/hasan135/msg/644.html#c19

[医療崩壊8] ファイザーの円環無限地獄へようこそ 魑魅魍魎男
2. 2022年1月03日 18:18:33 : PGJ4zmPcR1 : MDZoNE5ETFYyVVU=[3]

ついにここまで、、、？！、、、日本ももうすぐ？？？。

人類の敵、目玉カルト粉砕@someone5963

打ってない「ち〇こ」さがしています。 | トニー・ラエリアン
奇形児ができると悲惨だもんねw

ameblo.jp
tony：打ってない「ち〇こ」さがしています。

http://www.asyura2.com/21/iryo8/msg/189.html#c2