ウェスタンデジタル　東芝と共同開発した512GB、64層3D NANDを試験生産――四日市工場で
http://gansokaiketu.sakura.ne.jp/newsindex5-3-naiyou.htm#2017-02-11-westan-degital-toshibato-kyoudoukaihatushita-512gb-64sou-3d-nandwo-shikenseisan

ウエスタンデジタル：512Gbの64層3D NANDを試験生産――四日市工場で
http://eetimes.jp/ee/articles/1702/08/news072.html

ウエスタンデジタルは2017年2月、64層構造の3D NAND型フラッシュメモリ（BiCS3）で容量が512Gビットの製品を開発し、三重県の四日市工場で試験生産を始めたと発表した。
[馬本隆綱，EE Times Japan]
　

64層アーキテクチャで集積度を2倍に

　ウエスタンデジタルコーポレーション（以下、ウエスタンデジタル）は2017年2月、64層構造の3D NAND型フラッシュメモリ（BiCS3）として新たに容量が512Gビットの製品を開発、三重県の四日市工場で試験生産を始めたと発表した。2017年後半より量産を行う計画である。

　同製品は「BiCS」と呼ぶ三次元積層構造を用いたNAND型フラッシュメモリで、東芝と共同開発した。2016年7月に発表した64層アーキテクチャに対して、集積度を2倍に高めている。1セル当たり3ビットの多値化技術を用いた512Gビット品を3D NAND製品に追加したことで、モバイル機器やデータセンター向け装置などで需要が拡大するストレージ用途に対応していく。

　同社は、2015年に48層構造の3D NAND技術を用いたフラッシュメモリの試験生産を、2016年7月には64層構造の3D NAND技術による256Gビットのフラッシュメモリの試験生産を始めることを発表した。これらの製品も従来通り、リテールやOEM顧客に向けて供給を続けていく。

　なお、ウエスタンデジタルは、512Gビット製品に採用した新技術について、米国サンフランシスコで開催された「国際固体素子回路会議（ISSCC 2017）」で、その詳細を発表した。論文タイトルは「A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology」である。

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