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(回答先: 東芝、線幅１５ナノ、100ギガビット級フラッシュメモリー実現へ基本素子試作 「ＩＴ＋ＰＬＵＳ」 投稿者 怪傑 日時 2008 年 2 月 23 日 13:17:58)
東芝は2009年度半ばに次々世代の半導体メモリーを世界に先駆けて量産する。回路線幅を30ナノ（ナノは10億分の1）メートル台に狭める微細加工技術を使い、製造コストを現行の半分以下に抑える。この技術で携帯電話などのデータ保存用に需要が伸びるフラッシュメモリーを生産。年1兆5000億円程度に達した同製品の世界市場でシェア首位を目指す。製造技術での日本の優位を生かし、世界の半導体市場で巻き返しを狙う動きが加速しそうだ。
フラッシュの世界シェアで2位の東芝は現在、線幅56ナノ技術で同製品を生産。今年12月に三重県四日市市で本格稼働する新工場で来年3月から次世代の43ナノ技術での量産を始める。世界シェア首位の韓国サムスン電子は51ナノ技術を活用、この時点で東芝はサムスンに先行する。その翌年に、さらにその次の世代となる30ナノ台で量産に着手することにより、記憶容量や製造コストなど技術面でのリードを維持したい考えだ。(07:00)
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