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(回答先: 日の丸半導体、メモリ価格急落でサムソンと決死の持久戦に 「Ｙａｈｏｏニュース」 投稿者 怪傑 日時 2008 年 2 月 23 日 13:10:16)
東芝は12日、100ギガ（ギガは10億）ビット級の記録容量のフラッシュメモリーを実現する基本素子を試作したと発表した。デジタルカメラやビデオカメラの記録媒体に使うフラッシュメモリーの容量が現状の6倍以上になる。4―5年後の実用化を目指す。
試作では回路の線幅を15ナノ（ナノは10億分の1）メートルにすることができ、フラッシュメモリーを構成する メモリー素子としては世界最小。この素子を集めてフラッシュメモリーを作ると、大きさを変えずに100ギガ級が実現する。現在メモリーカード1枚では、映 画1本分しか記録できないが、100ギガ級では10本分が収録可能になる。
容量を大きくできるのは、記録に必要な電荷を蓄積する部分の構造を工夫、微細化しても安定したデータの保持ができたからだ。
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フォローアップ:- サムスン電子、線幅30ナノのＮＡＮＤ型フラッシュ、’０９年度に量産へ '07/10/23 「日本経済新聞」 怪傑 2008/2/23 13:26:57
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- 東芝、次々世代 ３０ナノ台フラッシュメモリー量産・09年度ライン導入 '07/10/18 「日本経済新聞」 怪傑 2008/2/23 13:23:48
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