ルネサステクノロジは、ＮＴＴドコモなどと共同開発している携帯電話のプラットフォームで心臓部となるシステム ＬＳＩ（大規模集積回路）の開発を完了、サンプル出荷を始めた。通信速度を従来チップの2倍となる毎秒7.2メガ（メガは100万）ビットに引き上げた。 2008年7―9月期までにプラットフォームを構築する方針だ。
　開発したＬＳＩは「ＳＨモバイルＧ３」。ＨＳＤＰＡやＷ―ＣＤＭＡなどの通信方式に対応した。通話を担うプロ セッサーとゲームなどを制御するプロセッサーを１つのチップにした。製造プロセスはルネサスの最先端の65ナノ（ナノは10億分の１）メートル。主力の那 珂第二工場（茨城県ひたちなか市）で生産する。

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• 2007年のNAND型フラッシュメモリー出荷数は前年比86％増　　　　　　　　「8/31　semiconductor社｝ 怪傑 2007/10/14 16:44:52 (0)
• 東芝、次々世代メモリー量産・09年度ライン導入　　　　　　　　　　　「10/8　日本経済新聞」 怪傑 2007/10/14 16:36:49 (0)

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